半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料,其電導(dǎo)率在10(U-3)~10(U-9)歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料,其電導(dǎo)率在10(U-3)~10(U-9)歐姆/厘米范圍內(nèi)。正是利用半導(dǎo)體材料的...
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12.24半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料,其電導(dǎo)率在10(U-3)~10(U-9)歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料,其電導(dǎo)率在10(U-3)~10(U-9)歐姆/厘米范圍內(nèi)。正是利用半導(dǎo)體材料的這些性質(zhì),才制造出功能多樣的半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ),它的發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展有極大的影響。半導(dǎo)體材料按化學(xué)成分和內(nèi)部結(jié)構(gòu),大致可分為以下幾類。1、化合物半導(dǎo)體由兩種或兩種以上的元素...
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12.24半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié),在芯片的生產(chǎn)制造過程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過程劃分,半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中,基體材料主要用來制造硅晶圓或化合物半導(dǎo)體;制造材料主要是將硅晶圓或化合物半導(dǎo)體加工成芯片所需的各類材料;封裝材料則是將制得的芯片封裝切割過程中所用到的材料?;w材料根據(jù)芯片材質(zhì)不同,基體材料主要分為硅晶圓和化合物半導(dǎo)體,其中硅晶圓的使用范圍zui廣,是集成電路制造過程中最為重要的原材料。1、硅晶圓硅晶圓片全部采用單晶硅片,...
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12.20永磁材料,是具有寬磁滯回線、高矯頑力、高剩磁,一經(jīng)磁化即能保持恒定磁性的材料。又稱硬磁材料。實(shí)用中,永磁材料工作于深度磁飽和及充磁后磁滯回線的第二象限退磁部分。常用的永磁材料分為鋁鎳鈷系永磁合金、鐵鉻鈷系永磁合金、永磁鐵氧體、稀土永磁材料和復(fù)合永磁材料。軟磁材料(softmagneticmaterial),具有低矯頑力和高磁導(dǎo)率的磁性材料。軟磁材料易于磁化,也易于退磁,廣泛用于電工設(shè)備和電子設(shè)備中。應(yīng)用最多的軟磁材料是鐵硅合金(硅鋼片)以及各種軟磁鐵氧體等。永磁材料用途:①基...
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12.201.磁性材料的磁化曲線磁性材料是由鐵磁性物質(zhì)或亞鐵磁性物質(zhì)組成的,在外加磁場(chǎng)H作用下,必有相應(yīng)的磁化強(qiáng)度M或磁感應(yīng)強(qiáng)度B,它們隨磁場(chǎng)強(qiáng)度H的變化曲線稱為磁化曲線(M~H或B~H曲線)。磁化曲線一般來說是非線性的,具有2個(gè)特點(diǎn):磁飽和現(xiàn)象及磁滯現(xiàn)象。即當(dāng)磁場(chǎng)強(qiáng)度H足夠大時(shí),磁化強(qiáng)度M達(dá)到一個(gè)確定的飽和值Ms,繼續(xù)增大H,Ms保持不變;以及當(dāng)材料的M值達(dá)到飽和后,外磁場(chǎng)H降低為零時(shí),M并不恢復(fù)為零,而是沿MsMr曲線變化。材料的工作狀態(tài)相當(dāng)于M~H曲線或B~H曲線上的某一點(diǎn),該點(diǎn)...
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12.17霍爾傳感器的原理霍爾傳感器是一種固體的傳感器,其輸出電壓與磁場(chǎng)強(qiáng)度成比例。顧名思義,這種器件是依賴于霍爾效應(yīng)原理工作的?;魻栃?yīng)原理是在導(dǎo)體通電和加有磁場(chǎng)的情況下,在導(dǎo)體的橫向上會(huì)產(chǎn)生電壓。電子(在實(shí)踐中多數(shù)載流子最常被使用)在外部電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下會(huì)產(chǎn)生“漂移”,當(dāng)暴露于磁場(chǎng)中時(shí),這些運(yùn)動(dòng)的帶電粒子會(huì)受到一個(gè)垂直于電場(chǎng)和磁場(chǎng)的力的作用。這個(gè)力會(huì)讓導(dǎo)體的邊緣充電,一邊為正,一邊為負(fù)。邊緣充電形成一個(gè)電場(chǎng),電場(chǎng)給運(yùn)動(dòng)的電子施加一個(gè)與洛倫茲力相等但方向相反的力。電勢(shì)差是沿著導(dǎo)體的寬度方...
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12.14霍爾傳感器是一種基于霍爾效應(yīng)的傳感器。霍爾效應(yīng)指的是當(dāng)通過一個(gè)導(dǎo)體的電流受到外部磁場(chǎng)的影響時(shí),導(dǎo)體內(nèi)部將會(huì)產(chǎn)生一種電場(chǎng),使得在導(dǎo)體兩端的電勢(shì)差發(fā)生變化,這種電勢(shì)差變化稱為霍爾電勢(shì)差。利用這種現(xiàn)象,可以設(shè)計(jì)出一種可以測(cè)量磁場(chǎng)強(qiáng)度和方向的傳感器,即霍爾傳感器?;魻杺鞲衅鞣譃榫€型霍爾傳感器和開關(guān)型霍爾傳感器兩種。(一)開關(guān)型霍爾傳感器由穩(wěn)壓器、霍爾元件、差分放大器,斯密特觸發(fā)器和輸出級(jí)組成,它輸出數(shù)字量。開關(guān)型霍爾傳感器還有一種特殊的形式,稱為鎖鍵型霍爾傳感器。(二)線性型霍爾傳感...
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12.14在材料科學(xué)的廣闊天地里,退火工藝作為材料處理的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對(duì)材料的性能優(yōu)化、結(jié)構(gòu)改善及后續(xù)加工至關(guān)重要。近年來,隨著科技的飛速發(fā)展,高溫磁場(chǎng)退火爐作為一種集高溫處理與磁場(chǎng)作用于一體的先進(jìn)設(shè)備,正以其優(yōu)勢(shì),領(lǐng)著退火技術(shù)的革新,顯著提升了退火質(zhì)量,并推動(dòng)了材料科學(xué)的持續(xù)進(jìn)步。高溫磁場(chǎng)退火爐的核心在于其將高溫環(huán)境與強(qiáng)磁場(chǎng)相結(jié)合的創(chuàng)新設(shè)計(jì)理念。傳統(tǒng)退火工藝主要依賴于溫度的變化來調(diào)控材料的微觀結(jié)構(gòu)和性能,而磁場(chǎng)的引入則為這一過程增添了新的維度。磁場(chǎng)不僅能夠影響材料內(nèi)部的原子排列和相變過程...
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12.13在有電流流過的導(dǎo)線周圍會(huì)感生出磁場(chǎng),再用霍爾器件檢測(cè)由電流感生的磁場(chǎng),即可測(cè)出產(chǎn)生這個(gè)磁場(chǎng)的電流的量值。由此就可以構(gòu)成霍爾電流、電壓傳感器。因?yàn)榛魻柶骷妮敵鲭妷号c加在它上面的磁感應(yīng)強(qiáng)度以及流過其中的工作電流的乘積成比例,是一個(gè)具有乘法器功能的器件,并且可與各種邏輯電路直接接口,還可以直接驅(qū)動(dòng)各種性質(zhì)的負(fù)載。因?yàn)榛魻柶骷膽?yīng)用原理簡(jiǎn)單,信號(hào)處理方便,器件本身又具有一系列的du特優(yōu)點(diǎn),所以在變頻器中也發(fā)揮了非常重要的作用。在變頻器中,霍爾電流傳感器的主要作用是保護(hù)昂貴的大功率晶...
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12.10聯(lián)系方式
郵箱:gulong@jinzhengmaoyiqi.com 地址:北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)金苑路2號(hào)1幢三層