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高低溫真空磁場(chǎng)探針臺(tái)T8-EM5的技術(shù)參數(shù)

更新時(shí)間:2023-03-31 點(diǎn)擊量:518

高低溫真空磁場(chǎng)探針臺(tái)T8-EM5的技術(shù)參數(shù)

錦正茂高低溫真空磁場(chǎng)探針臺(tái)是具備提供高低溫、真空以及磁場(chǎng)環(huán)境的高精度實(shí)驗(yàn)臺(tái),它的諸多設(shè)計(jì)都是專用的。因此,高低溫磁場(chǎng)探針臺(tái)的配置主要是根據(jù)用戶的需求進(jìn)行選配及設(shè)計(jì)。例如,要求的磁場(chǎng)值,均勻區(qū)大小、均勻度大小、樣品臺(tái)的尺寸等,均于磁力線在一定區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生的磁通密度相關(guān)聯(lián);位移臺(tái)還可與磁流體密封搭配,實(shí)現(xiàn)水平方向二維移動(dòng)和樣品臺(tái)360度轉(zhuǎn)動(dòng);除此之外,該探針臺(tái)和我司自主研發(fā)的高精度雙極性恒流電源搭配使用戶,可以磁場(chǎng)的高穩(wěn)定性。因此,該類型的探針臺(tái)主要依據(jù)客戶的使用情況進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。

錦正茂高低溫真空磁場(chǎng)探針臺(tái)探針臺(tái)配備4個(gè)(可選6個(gè)或8個(gè))擁有高精度位移的探針臂,同時(shí)配有高精度電子顯微鏡,便于微小樣品的觀察操作。探針可通過直流或者低頻交流信號(hào),用來測(cè)試芯片、晶圓片、封裝器件等,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、MEMS 、超導(dǎo)、電子學(xué)、鐵電子學(xué)、物理學(xué)、材料學(xué)和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。

測(cè)試范圍:

磁特性測(cè)試、微波特性測(cè)試、直流、RF特性測(cè)試,微電子機(jī)械系統(tǒng),超導(dǎo)電性測(cè)試,納米電路的光電屬性,量子點(diǎn)和線,高低溫真空環(huán)境下的芯片測(cè)試,材料測(cè)試,霍爾測(cè)試,電磁輸運(yùn)特性等。

 

技術(shù)指標(biāo):

型號(hào) T8-EM5

真空度:高達(dá)10-8Pa

腔體材質(zhì):無磁不銹鋼或者鋁合金

磁場(chǎng)范圍:5000Gs@50mm

磁場(chǎng)方向 :水平(可按用戶要求設(shè)計(jì)成豎直方向的)

配套電源:雙極性電源±70A

電源穩(wěn)定性 50ppm(可選10ppm

制冷方式 :液氦/液氮制冷/閉循環(huán)制冷機(jī)

溫度范圍 5K-325K可選500K

控溫分辨率:0.001K控溫儀相關(guān)

溫度穩(wěn)定性 :優(yōu)于0.1K依賴于控溫儀

溫度傳感器 :硅二極管/PT100/CernoxTM

傳感器數(shù)量: 樣品臺(tái)、防輻射屏、探針臂各一個(gè)

樣品臺(tái)尺寸:(max) Φ50mm,平整度≤7μm

樣品臺(tái)固定方式: 真空硅脂/彈簧壓片

樣品臺(tái)材質(zhì): 鍍金無氧銅

顯微鏡行程: X、Y平面2*2inch,精度1μm,Z軸行程≥50.8mm

放大倍數(shù) 16~100X/20~4000X

真空腔觀察窗尺寸: 1.5inch

窗口材料 :熔融石英(可選K9、氟化鈣等)

探針臂數(shù)量: 2、4、6、8可選

探針臂行程: (X-Y-Z)25mm-25mm-12mm可更換

位移精度 10μm /2μm/1μm/0.7μm可選

接口形式 :普通真空接頭/三同軸接頭/BNC/SMA

探針直徑 0.51mm

針尖直徑 10μm/5μm/1μm可選

探針材料: /GGB

供電電壓 AC380V 50Hz/60Hz


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